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        日本掩膜版研讨会行

        浏览次数: 日期:2016-11-18

        应Mycronic邀请,今年四月上旬,我司出席了其举办的2016年掩膜版研讨会。

        会议在日本横滨太平洋展览中心举行,这是全球唯一一个大面积掩膜版的技术研讨会,来自世界各地大约150名相关人员参加了会议。

        会议介绍了TFT面板的未来发展趋势,PPI从500PPI往800PPI发展,面板的分辨率从2um往1um发展,CD从+/-0.2um往+/-0.1um发展,Overlay从+/-0.65um往+/-0.35um发展,相应的Panel局部平整度也从6um要求到2um。而一批技术开发也应运而生:

        1、Canon计划推出的新型DUV曝光机,用<375nm的DUV段代替原来的i,g,h波段,可以把线缝分辨率提升到1.2um。

        2、Mycronic推出了P800光刻机,在P80光刻机的基础上,采用最新定制的Final Lens,NA提升25%,像场畸变减少3—5倍,Pixel Size缩减20%,把最小线缝从0.75um减少到了0.55um,同时把原来的9Beam描画提升到15Beam,这样在大幅度提升分辨率和CD uniformity的基础上,仍然保持了与P80同样的描画速度。

        3、新型的i-line Pellicle和干法蚀刻也将应用于TFT掩膜版,以配合DUV曝光机和PSM,增加曝光DOF,提升CD uniformity。

        4、Mask的平整度对于Panel曝光质量的影响被深入研究。Nikon公司Shimizu经理介绍了掩膜版的平整度不好将造成曝光离交,影响CD;造成变形,影响位置精度和套合。超平坦掩膜版也得以诞生,这种掩膜版的整版平整度可以达到5um,局部可以达到2um,但是目前尚未发现并证明有能够测量如此大面积、高精度平整度的测量机存在!

        5、为了应对高端封装、MEMS、LED、3D molds的要求,在这次会上,Mycronic还推出了FPS-X光刻机,这是FPS-5500的升级版,这台机器减小了Pixel size(23%),提升了图形质量,同时把3Beam 激光增加到5Beam,扫描宽度加宽一倍,大大提升了描画速度。

        展厅位于横滨海边,环境优美,又恰逢日本樱花季,路旁樱花成片,赏心悦目,不虚此行!

        所属类别: 公司新闻

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